K465i MOCVD加熱器


反應腔是MOCVD*重要的部位，材料的特性與設備的好壞都由它決定。反應腔主要是所有氣體混合及發(fā)生反應的地方，腔體通常是由不銹鋼(帶有冷卻水回路)或是石英(太危險已成歷史)所打造而成，而腔體的內(nèi)壁通常具有由石英或是高溫陶瓷所構成的內(nèi)襯。在腔體中會有一個乘載盤(Wafer Carrier / Suscepetor)用來乘載基板，這個乘載盤必須能夠有效率地吸收從加熱器所提供的能量而達到薄膜成長時所需要的溫度，而且還不能與反應氣體發(fā)生反應，所以多半是用石墨所制造而成。(因為成長GaN需要NH3做為反應源，而NH3在高溫時有腐蝕性所以石墨會鍍上SiC保護。)加熱器的設置，有的設置在反應腔體之內(nèi)，也有設置在腔體之外。在反應腔體內(nèi)部通常有許多可以讓冷卻水流通的通道，可以讓冷卻水來避免腔體本身在薄膜成長時發(fā)生過熱的狀況。